Изследване на полупроводникови диоди и светодиоди - Протокол

[Mozo]

ТУ-Габрово

Катедра:Елекроника Факултет:Стопански

Изготвил:Динчо Стойнов Кацаров спец:СУ
Курс:3 фак№30413130


Тема:Изследване на полупроводникови диоди и светодиоди


I.Теоритична постановка:
Полупроводниковия диод е двуелектронен елемент с един PN преход.Преходния слой м/у двете области на единен полупроводников монокристал, едната от които има проводимист N тип,а другата –P тип се нарича PN преход.Такъв преход се създава по време на конкретен технологичен процес-дифузия епитаксия или йонно легиране при който в полупроводника се въвежда определено количество примеси.
Основни токоносители в P областа са дупките а в N областта- електроните.При стайна температура всички акцепторни и донорни примеси се йонизират и в отсъствие на на външно ел.поле концентарцията на дупките и електроните е равна на концентрацията на съответните неподвижни йонизирани примесни атоми.

II.Схема на опитната постановка:


III.Изследване на изправителен диод КД 1115
1.Да се снеме и построи ВАХ при право и обратно свързване на диода:

право
If,mA
0
2
4
6
8
10
Uf,mA
0
0.7
0.73
0.75
0.76
0.77

обратно
UR,V
0
0.02
0.4
0.6
0.8
Ig,mA
0
7.29
15.3
24.7
33

2.От ВАХ се определят:
-статичното съпротивление на диода при право вкючване в две точки от ВАХ-една в линейната област и една в нелйнеината област.
Rf=Uf/If
-диференциално(променливотоковото)съпротивление в права посока и същите две точки
Rd=∆Uf /∆If
-статичното R на диода при обратно вкл. При Ur= -5V ; RR =UR/IR


IV.Изследване на стабилитрон(ценеров диод) КС 139 А

Целият материал: